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Mitsubishi Electric entwickelt hochpräzise Schaltungssimulationstechnologie für diesen Siliziumkarbid-MOSFET 2020-07-11

Mitsubishi Electric entwickelt hochpräzise Schaltung


Simulationstechnologie für diesen Siliziumkarbid-MOSFET





Kürzlich kündigte Mitsubishi Electric auf der Online-Messe PCIM Europe 2020 die Entwicklung eines hochpräzisen SPICE-Modells (Integrated Circuit General Simulation Program) zur Analyse der elektronischen Schaltungen von diskreten Halbleitern/Leistungsgeräten an.



Mitsubishi sagte, dass die vom Modell simulierte Hochgeschwindigkeits-Schaltwellenform fast mit dem tatsächlichen Messergebnis übereinstimmt. Diese Genauigkeit wird derzeit von anderen Technologien in der Branche nicht erreicht, und es wird erwartet, dass sie ein effizienteres Schaltungsdesign für den Leistungswandler bringt.



Gleichzeitig plant Mitsubishi Electric, es auch weiterhin um einige temperaturbezogene Parameter zu erweitern, damit das SPICE-Modell auch bei hohen Temperaturen normal arbeiten kann.


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